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從2016年第四季度開始，固態硬盤和內存價格就開始快速上漲，平均都達到了30%的漲幅，到今年華為P10“存儲門”的事件，大家明顯的感覺到flash芯片真的很缺貨了。日前存儲器控制芯片大廠群聯董事長潘健成對媒體表示，目前 NAND Flash 芯片需求相當強勁，加上主要廠商大多表示，未來 3 年產能仍無法滿足市場需求的情況下，因此預期 2017 年第 3 季 NAND Flash 會比 2017 年第 1 季還要缺貨，可能會是史上最缺貨的一季的說法，外資也跟著表示，因為未來新款手機內建儲存容量不斷提高的情況下，2017 年 NAND Flash 缺貨的情況將不容易緩解。

根據外資的報告指出，NAND Flash 的產能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數、SK Hynix 都會在下半年量產 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預計產能會有大幅度提升。
 
但是，在 NAND 技術升級還要面臨良率的問題考驗下，產能是否能夠順利提升恐怕還有門檻。另外，在推動 NAND Flash 需求上漲的諸多原因中，手機內建存儲容量的增加確實是個重要關鍵。隨著目前行動 App 容量越來越大，部分手機游戲的容量已經不比單機游戲小。加上實時通訊軟件的快速發展，包括聊天紀錄、語音通話、圖片檔案等，都讓手機內建儲存需求直線上升。
 
因此，從之前的 16/32GB ，一躍到目前的 32/64GB 內建儲存容量，導致 NAND Flash 的需求翻倍上漲，更別說很多高端手機的內建儲存容量直接達到 128GB 的規模，都讓 NAND Flash 市場供貨更加吃緊。
 
此外，2017 年秋季，在蘋果即將發表的新一代 iPhone 系列手機中，大家最關注的就是所謂的 10 周年紀念版的部分。因為，除了搭配 OLED 屏幕、無線充電、高屏幕占比等賣點之外，據稱儲存容量也會大幅增加以符合其地位。
 
因此起步容量就達到了 128GB，這相較目前 32GB 的起步容量要大得多。如此，不但將大幅增加市場需求，加劇 NAND Flash 的缺貨問題。因此，在市場需求不斷提升，但是產能又跟不上需求的情況下，2017 年 NAND Flash 的供貨吃緊狀況恐將難以紓解。